【Product Introductie】 | |
Cel | Mono 156.75mmx31.2mm hoog rendement zonnecel |
Aantal cellen | 340（34×10） |
Nominaal maximaal vermogen (Pmax) | 335W |
Aansluitdoos | IP67 |
Maximale systeemspanning | 1000V / 1500V gelijkstroom (IEC) |
Bedrijfstemperatuur | -40℃～+85℃ |
Dimensies | 1623 × 1048 × 35 mm |
Gewicht | 18,5 kg ± 3% |
【Productomschrijving】
Door de zonnecellen te shingelen, wordt de ruimte tussen de cellen verkleind, waardoor er meer cellen op elk paneel kunnen worden geplaatst. Hierdoor is bijna 100% van het paneel bedekt met zonnecellen.
Nieuw ontworpen shingled-zonnepanelen verhogen de efficiëntie en betrouwbaarheid, maar verlagen tegelijkertijd de BOS-kosten, waardoor een elegante oplossing wordt geboden die zowel efficiëntie als esthetiek verbetert.
Flexibiliteit van adhesieve onderlinge verbinding van het nieuwe ontwerp helpt thermische spanning in temperatuurwisseltests te verminderen. Geen lint vereist vermindert het potentieel voor microscheuren.
5-10% meer paneelvermogen is winst voor de nieuw ontworpen zonnepanelen, die het resultaat is van de toepassing van geleidende pasta die nieuwe interconnectietechnologieën mogelijk maakt.
1 BELANGRIJKSTE KENMERKEN
2 MECHANISCHE DIAGRAMMEN
3 ELEKTRISCHE PARAMETERS bij STC
Nominaal maximaal vermogen (Pmax) [W] | 320 | 325 | 330 | 335 |
Nullastspanning (Voc) [V] | 44.46 | 44.71 | 44.91 | 45.16 |
Maximale voedingsspanning (Vmp) [V] | 36.41 | 36.61 | 36.80 | 37.06 |
Kortsluitstroom (Isc) [A] | 9.22 | 9.30 | 9.40 | 9.48 |
Maximale vermogensstroom (Imp) [A] | 8.80 | 8.87 | 8.96 | 9.04 |
Module-efficiëntie [%] | 18.81 | 19.11 | 19.40 | 19.70 |
Vermogenstolerantie | 0~+5W | |||
Temperatuurcoëfficiënt van Isc (α_Isc) | 0.05%/℃ | |||
Temperatuurcoëfficiënt van Voc (β_Voc) | -0.275%/℃ | |||
Temperatuurcoëfficiënt van Pmax (γ_Pmp) | -0.368%/℃ | |||
STC | Instraling 1000W / m², celtemperatuur 25 ℃, AM1.5G | |||
Monokristallijn silicium heeft een diamantkristalrooster, het kristal is hard en broos, heeft een metaalglans, kan elektriciteit geleiden, maar het geleidingsvermogen is inferieur aan het metaal, en neemt toe met de temperatuurstijging en heeft de halfgeleider-eigenschap. Monokristallijn silicium is een belangrijk halfgeleidermateriaal. Opname van sporenelementen van groep IIIA in monokristallijn silicium kan p-type halfgeleider vormen, en opname van sporenelementen van groep VA kan n-type, n-type en p-type halfgeleider samen vormen, die tot zonnecel kunnen worden gemaakt en stralingsenergie in elektrische energie.
