CIGS Koper Indium Gallium Diselenide zonnecel

【Productbeschrijving】 Dunne-film PV, in het bijzonder CIGS, is een sleuteltechnologie om een van de toekomstige technologieën voor fotovoltaïsche zonne-energie te zijn en heeft een groot potentieel voor verdere technologische ontwikkelingen. CIGS-dunnefilmmodules investeren steeds meer in de zonne-energiesector. Naarmate de technologie vordert ...
Praat nu

Productdetails

【Productomschrijving】

Thin-film PV, in het bijzonder CIGS, is een sleuteltechnologie om een van de toekomstige technologieën van fotovoltaïsche zonne-energie te zijn en heeft een groot potentieel voor verdere technologische ontwikkelingen. CIGS-dunnefilmmodules investeren steeds meer in de zonne-energiesector.

Naarmate de technologie vorderde werd later gevonden dat door gallium (Ga) te vervangen door indium (In), de bandgap kan worden verhoogd van ongeveer 1,04 elektronenvolt (eV) voor koper-indiumdiselenide (CIS) -films tot ongeveer 1,68 eV voor koper-galliumdiselenide (CGS) films. Optimale apparaten zijn vervaardigd met slechts een gedeeltelijke vervanging van Ga for In, wat leidt tot een aanzienlijke toename van de algehele efficiëntie en een meer optimale bandgap. Deze zonnecellen zijn algemeen bekend als een koper indium gallium diselenide [Cu (InxGa1-x) Se2], of CIGS, cellen.

De voordelen van CIGS-zonnecellen zijn onder andere:

Hoge absorptie: dit direct-bandgap materiaal kan een aanzienlijk deel van het zonnespectrum absorberen, waardoor het de hoogste efficiëntie van elke dunnefilmtechnologie kan bereiken.

Tandemontwerp: een afstembare bandgap maakt de mogelijkheid van tandem CIGS-apparaten mogelijk.

Beschermende bufferlaag: de korrelgrenzen vormen een inherente bufferlaag, waardoor oppervlakte-recombinatie wordt voorkomen en films met korrelgrootten van minder dan 1 micrometer kunnen worden gebruikt bij de fabricage van apparaten.


cigs celstructuur


Processtroom


Co-evaporatie voorbeeld

alternatieven

Glas: 2 mm of 3,2 mm

Roestvrij folie: 25um

Aluminium

polyimide

Molybdeen sputteren, 0.3-1um

Barrièrelagen: Cr / Nitride

Na-barrière / Se-barrière / Oxidebarrière

CIGS: 1stage / 2stage / 3stage

Cu, In, Ga zijn samen verdampt in Se-overdruk CIGS 1-2um

CIGS: Reactief sputteren, Inktafzetting / coating,

Selenisatie, co-verdamping

Bufferlaag: chemisch bad

Depositie (CBD)

CdS, 20-80 nm

Bufferlaag: Chemische badafzetting (CBD) / sputteren;

Zn (O, S): 20-80 nm;

Raamlaag: sputteren

Resistief: i-ZnO, 0.1-0.12um

Geleidend: AZO, 0.1-0.15um

Vensterlaag: MoCVD

ZnO: B; InZnO; ITO

Roosters: verdamping

Ni (150-500A), Ag (500-6000A)

Al (2-3um)

Grids / zeefdruk / draad

Overlay / Tab en string

Verbindingen

 

Belangrijkste kenmerken

Geen door licht geïnduceerde degradatie

Totale gebiedsefficiëntie van maximaal 18%

Dunheid tot 0,33 mm

Lichtgewicht van lager tot 7,5 gram

Ideaal voor veel gespecialiseerde toepassingen.

Kan worden aangepast aan verschillende toepassingen.

Buigzaam en flexibel

 

Technische gegevens

TECHNISCHE GEGEVENS EN ONTWERP


TEMPERATUURCOEFFICIËNTEN EN SOLDERBAARHEID

Lengte

312 mm + 2 / -4mm


TkUoc (% / K)

-0.28

Breedte

43.75mm ± 0,005 mm


TkIsc (% / K)

0,008

Dikte

0,33 mm ± 0,1 mm


TkPMAX (% / K)

-0,379

Cel type

Koper Indium Gallium Diselenide


Peel Strength Minimum

> 1.4N / mm

 

ELEKTRISCHE PARAMETERS bij STC

Nee.

Efficiëntie (%)

Pmpp (W)

Uoc (V)

Isc (A)

Vmpp (V)

Impp (A)

FF (%)

1

18.00%

2.45

0,681

4.7

0,561

4.37

76,59%

2

17,50%

2.38

0,676

4.7

0,552

4.31

74.88%

3

17,00%

2.32

0,673

4.7

0,545

4.25

73.23%

4

16.50%

2.25

0.670

4.7

0,538

4.17

71.24%

5

16,00%

2.18

0,664

4.7

0,531

4.11

69,93%

6

15.50%

2.12

0,661

4.7

0,526

4.04

68.40%

7

15.00%

2.06

0,658

4.7

0,521

3.97

66,88%

8

14.50%

2.01

0.655

4.7

0,516

3.90

65,37%



CIGS-proces 1


CIGS-proces 2CIGS-proces 3




Onderzoek