P Type M6 monokristallijne zonnewafer

P Type M6 monokristallijne zonnewafer

P type M6 monokristallijn silicium zonnewafer met een diameter van 223 mm is 12,21% groter dan M2 wafer.
Praat nu

Productdetails


M6 solar wafer 2


P-type monokristallijne wafel 1


P-type monokristallijne wafel 2


P type M6 monokristallijn silicium zonnewafeltje met een lengte van 166 mm en een diameter van 223 mm is 12,21% groter dan M2 wafeltje. het betekent dat zonnecellen gemaakt van M6-substraat een 12,21% hoger vermogen hebben dan die gemaakt van M2-substraat.


1       Materiaaleigenschappen

 

Eigendom

Specificatie

Inspectie methode

Groeimethode

CZ


kristalliniteit

monokristallijn

 

Preferentiële etstechnieken ASTM F47-88

Geleidbaarheidstype

P-type

Napson EC-80TPN

P / N

doteerstof

 

Borium

 

-

Zuurstofconcentratie [Oi]

≦ 8 E + 17 at / cm 3

FTIR (ASTM F121-83)

Koolstofconcentratie [Cs]

5E + 16 at / cm 3

FTIR (ASTM F123-91)

Etsen putdichtheid (dislocatiedichtheid)

500 cm -3

Preferentiële etstechnieken ASTM F47-88

Oppervlakte oriëntatie

<100> ± 3 °

Röntgendiffractiemethode (ASTM F26-1987)

Oriëntatie van pseudo-vierkante zijden

<010>, <001> ± 3 °

Röntgendiffractiemethode (ASTM F26-1987)

 

2       Elektrische eigenschappen

 

Eigendom

Specificatie

Inspectie methode

weerstandsvermogen

0,5-1,5 Ωcm

Wafer inspectiesysteem

MCLT (levensduur van minderheidsmaatschappij)

50 μs

Sinton BCT-400

(met injectieniveau: 1E15 cm -3 )

 

3        Geometrie

 

Eigendom

Specificatie

Inspectie methode

Geometrie

Volledig vierkant


Wafer Zijlengte

166 ± 0,25 mm

wafer inspectiesysteem

Wafeldiameter

φ223 ± 0,25 mm

wafer inspectiesysteem

Hoek tussen aangrenzende zijden

90 ° ± 0,2 °

wafer inspectiesysteem

Dikte

180 20 / - 10 µm;

170 20 / - 10 µm

wafer inspectiesysteem

TTV (totale diktevariatie)

27 µm

wafer inspectiesysteem


166mmx166mm M6 solar wafer

 

 

4        Oppervlakte eigenschappen

 

Eigendom

Specificatie

Inspectie methode

Snijden methode

DW

-

Oppervlaktekwaliteit

zoals gesneden en gereinigd, geen zichtbare verontreiniging, (olie of vet, vingerafdrukken, zeepvlekken, slurryvlekken, epoxy- / lijmvlekken zijn niet toegestaan)

wafer inspectiesysteem

Zaagsporen / treden

<15>

wafer inspectiesysteem

Boog

≤ 40 µm

wafer inspectiesysteem

schering

≤ 40 µm

wafer inspectiesysteem

spaander

diepte ≤0,3 mm en lengte ≤ 0,5 mm Max 2 / stks; geen V-chip

Blote ogen of waferinspectiesysteem

Microscheuren / gaten

Niet toegestaan

wafer inspectiesysteem




Onderzoek