P Type M6 Monocrystalline Solar Wafer

Groeimethode

Cz

Kristallijnheid

Monokristallijn

Preferentiële Etch Technieken(ASTM F47-88)

Geleidbaarheidstype

P-type

Napson EC-80TPN

P/N

Dopant (Dopant)

Boor, Gallium

-

Zuurstofconcentratie[Oi]

≦8E+17 bij/cm³

FTIR (ASTM F121-83)

Koolstofconcentratie[Cs]

≦5E+16 bij/cm³

FTIR (ASTM F123-91)

Dichtheid van de pits (dislocatiedichtheid)

≦500 cm^-3

Preferentiële Etch Technieken(ASTM F47-88)

Oppervlakteoriëntatie

<100>±3°

Röntgendiffractiemethode (ASTM F26-1987)

Oriëntatie van pseudo vierkante zijden

<010>,<001>±3°

Röntgendiffractiemethode (ASTM F26-1987)

Weerstand

0,5-1,5 Ωcm

Wafer inspectiesysteem

MCLT (levensduur minderheidsvervoerder)

≧50 μs

Sinton BCT-400

(met injectieniveau: 1E15 Cm^-3)

Geometrie

Volledig vierkant

Wafer Side lengte

166±0,25 mm

waferinspectiesysteem

Wafer Diameter

φ223±0,25 mm

waferinspectiesysteem

Hoek tussen aangrenzende zijden

90° ± 0,2°

waferinspectiesysteem

Dikte

180+20/-10 μm;

170+20/-10 μm

TTV (Totale diktevariatie)

≤27 μm

waferinspectiesysteem

Snijmethode

Dw

--

Oppervlaktekwaliteit

zoals gesneden en gereinigd, geen zichtbare verontreiniging, (olie of vet, vingerafdrukken, zeepvlekken, drijfmestvlekken, epoxy/lijmvlekken zijn niet toegestaan)

waferinspectiesysteem

Zaagmarkeringen / stappen

≤ 15μm

waferinspectiesysteem

Bow

≤ 40 μm

waferinspectiesysteem

Warp

≤ 40 μm

waferinspectiesysteem

Chip

diepte ≤0,3 mm en lengte ≤ 0,5 mm Max 2/pc's;   geen V-chip

Naakte ogen of waferinspectiesysteem

Micro scheuren / gaten

Niet toegestaan

waferinspectiesysteem