P type M6 monokristallijn silicium zonnewafeltje met een lengte van 166 mm en een diameter van 223 mm is 12,21% groter dan M2 wafeltje. het betekent dat zonnecellen gemaakt van M6-substraat een 12,21% hoger vermogen hebben dan die gemaakt van M2-substraat.
1 Materiaaleigenschappen
Eigendom | Specificatie | Inspectie methode |
Groeimethode | CZ | |
kristalliniteit | monokristallijn
| Preferentiële etstechnieken （ ASTM F47-88 ） |
Geleidbaarheidstype | P-type | Napson EC-80TPN P / N |
doteerstof
| Borium
| - |
Zuurstofconcentratie [Oi] | ≦ 8 E + 17 at / cm 3 | FTIR (ASTM F121-83) |
Koolstofconcentratie [Cs] | ≦ 5E + 16 at / cm 3 | FTIR (ASTM F123-91) |
Etsen putdichtheid (dislocatiedichtheid) | ≦ 500 cm -3 | Preferentiële etstechnieken （ ASTM F47-88 ） |
Oppervlakte oriëntatie | <100> ± 3 ° | Röntgendiffractiemethode (ASTM F26-1987) |
Oriëntatie van pseudo-vierkante zijden | <010>, <001> ± 3 ° | Röntgendiffractiemethode (ASTM F26-1987) |
2 Elektrische eigenschappen
Eigendom | Specificatie | Inspectie methode |
weerstandsvermogen | 0,5-1,5 Ωcm | Wafer inspectiesysteem |
MCLT (levensduur van minderheidsmaatschappij) | ≧ 50 μs | Sinton BCT-400 (met injectieniveau: 1E15 cm -3 ) |
3 Geometrie
Eigendom | Specificatie | Inspectie methode |
Geometrie | Volledig vierkant | |
Wafer Zijlengte | 166 ± 0,25 mm | wafer inspectiesysteem |
Wafeldiameter | φ223 ± 0,25 mm | wafer inspectiesysteem |
Hoek tussen aangrenzende zijden | 90 ° ± 0,2 ° | wafer inspectiesysteem |
Dikte | 180 ﹢ 20 / - 10 µm; 170 ﹢ 20 / - 10 µm | wafer inspectiesysteem |
TTV (totale diktevariatie) | ≤ 27 µm | wafer inspectiesysteem |
4 Oppervlakte eigenschappen
Eigendom | Specificatie | Inspectie methode |
Snijden methode | DW | - |
Oppervlaktekwaliteit | zoals gesneden en gereinigd, geen zichtbare verontreiniging, (olie of vet, vingerafdrukken, zeepvlekken, slurryvlekken, epoxy- / lijmvlekken zijn niet toegestaan) | wafer inspectiesysteem |
Zaagsporen / treden | <15> | wafer inspectiesysteem |
Boog | ≤ 40 µm | wafer inspectiesysteem |
schering | ≤ 40 µm | wafer inspectiesysteem |
spaander | diepte ≤0,3 mm en lengte ≤ 0,5 mm Max 2 / stks; geen V-chip | Blote ogen of waferinspectiesysteem |
Microscheuren / gaten | Niet toegestaan | wafer inspectiesysteem |