Nieuwe 'M10' 182 mm x 182 mm monokristallijne siliciumwafel

- Nov 03, 2020-

Fabrikanten van fotovoltaïsche zonne-energie zijn officieel begonnen met het opzetten van een nieuwe 'M10' (182 mm x 182 mm p-type monokristallijne) standaard voor wafergrootte voor grote oppervlakken om de productiekosten in de hele toeleveringsketen van de zonne-industrie te verlagen, aangezien het aantal wafermaten met grote oppervlakken ontstond in de afgelopen jaren.


1. Materiaaleigenschappen

Eigendom

Specificatie

inspectie methode

Groeimethode

CZ

--

Kristalliniteit

Monokristallijn silicium

Preferentiële etstechniekenASTM F47-88

Geleidbaarheidstype

P-type

Napson EC-80TPN

P / N-tester

Dopant

Borium / Gallium

--

Zuurstofconcentratie [Oi]

≤9E + 17 op / cm3

FTIR (ASTM F121-83)

Koolstofconcentratie [Cs]

≤ 4E + 16 op / cm3

FTIRASTM F123-91

Etsputdichtheid (dislocatiedichtheid)

≤ 500 cm-2

Preferentiële etstechniekenASTM F47-88

Oppervlakte oriëntatie

GG lt; 100> ± 3 °

RöntgendiffractiemethodeASTM F26-1987

Oriëntatie van pseudo-vierkante zijden

GG lt; 010> ;,< 001=""> ± 3 °

RöntgendiffractiemethodeASTM F26-1987

2. Elektrische eigenschappen

Eigendom

Specificatie

inspectie methode

Resistiviteit

0,4-1,5 Ω.cm

wafer inspectiesysteem

MCLT

(Levensduur van minderheidscarrier)

≥50µs

Sinton BCT-400

QSSPC / voorbijgaand

(met injectieniveau: 1E15 cm-3)


3. Geometrie

Eigendom

Specificatie

inspectie methode

Geometrie

pseudo-vierkant

--

Afgeschuinde rand

Ronde

--

Lengte wafelzijde

182±0,25 mm

wafer inspectiesysteem

Wafeldiameter

φ247±0,25 mm

wafer inspectiesysteem

Hoek tussen aangrenzende zijden

90° ± 0.2°

wafer inspectiesysteem

Dikte

180 20/10 µm

175 20/10 µm

170 20/10 µm

160 20/10 µm

150 20/10 µm

Andere

wafer inspectiesysteem

TTV (totale diktevariatie)

≤ 28µm

wafer inspectiesysteem

image



4. Oppervlakte-eigenschappen

Eigendom

Specificatie

inspectie methode

Snijmethode

Diamant draadzaag

--

Oppervlaktekwaliteit

zoals gesneden en gereinigd, geen zichtbare vervuiling, (olie of vet, vingerafdrukken, vlekjes, epoxy / lijmresten zijn niet toegestaan)

wafer inspectiesysteem

Zaagsporen

≤ 15µm

wafer inspectiesysteem

Boog

≤ 40 µm

wafer inspectiesysteem

Warp

≤ 40 µm

wafer inspectiesysteem

Chip

diepte ≤ 0,3 mm en lengte ≤ 0,5 mm Max. 2 / stuk; geen V-chip

Blote ogen of wafelinspectiesysteem

Micro scheuren / gaten

Niet toegestaan

wafer inspectiesysteem